ترانزیستور ماسفت IRF640NPBF یک N-Channel MOSFET پرقدرت با ولتاژ کاری 200 ولت و جریان 18 آمپر است. این ماسفت با پکیج TO-220 ارائه شده و به دلیل مقاومت روشن (Rds(on)) کم و سرعت سوئیچینگ بالا، گزینهای عالی برای مدارات قدرت، منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، درایور موتور و تقویتکنندهها میباشد.
معرفی ترانزیستور ماسفت IRF640NPBF
ترانزیستور ماسفت IRF640NPBF یکی از مدلهای پرکاربرد در بین ماسفتهای توان بالا است که بهطور گسترده در مدارات الکترونیکی صنعتی و خانگی مورد استفاده قرار میگیرد. این ماسفت از نوع N-Channel Enhancement Mode بوده و دارای ولتاژ درین-سورس (Vds) تا 200 ولت و جریان حداکثری 18 آمپر است. این ویژگیها باعث میشود که IRF640NPBF در مداراتی که نیاز به کنترل قدرت و سوئیچینگ سریع دارند، گزینهای ایدهآل باشد.
ویژگیهای کلیدی IRF640NPBF
- ولتاژ و جریان بالا:
این ماسفت میتواند تا 200V ولتاژ و 18A جریان را تحمل کند، که آن را برای مدارات قدرت بالا مناسب میکند. - سرعت سوئیچینگ بالا:
طراحی پیشرفته این ترانزیستور امکان سوئیچینگ سریع را فراهم میکند که در مدارات سوئیچینگ فرکانس بالا، منابع تغذیه، تقویتکنندهها و اینورترها کاربرد دارد. - مقاومت روشن (Rds(on)) کم:
مقاومت روشن 0.150Ω باعث کاهش اتلاف انرژی و افزایش بازدهی در مدار میشود. - پکیج TO-220 با قابلیت نصب روی هیت سینک:
طراحی استاندارد TO-220 باعث میشود که بتوانید به راحتی یک هیت سینک برای دفع گرمای ماسفت نصب کنید و از گرم شدن بیش از حد آن جلوگیری کنید.
کاربردهای ماسفت IRF640NPBF
✅ منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS): این ماسفت در منابع تغذیه صنعتی و مدارات سوئیچینگ بسیار پرکاربرد است.
✅ درایور موتورها و کنترل سرعت: در مدارات کنترل سرعت موتورهای الکتریکی و درایورهای صنعتی استفاده میشود.
✅ اینورترها و سیستمهای برق اضطراری: برای تبدیل برق DC به AC در سیستمهای اینورتر و UPS مناسب است.
✅ تقویتکنندههای کلاس D: در سیستمهای صوتی برای تقویت سیگنالها استفاده میشود.
✅ کنترل بارهای القایی و الکترومکانیکی: برای کنترل بارهای سنگین نظیر الکتروموتورها و رلههای صنعتی مورد استفاده قرار میگیرد.
مشخصات فنی IRF640NPBF
- نوع: N-Channel MOSFET
- ولتاژ درین-سورس (Vds): 200V
- حداکثر جریان درین (Id): 18A
- حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs): ±20V
- مقاومت روشن (Rds(on)): 0.150Ω
- پکیج: TO-220
- دمای کاری: -55 تا +175 درجه سانتیگراد
Through Hole | |
TO-220-3 | |
N-Channel | |
1 Channel | |
200 V | |
18 A | |
180 mOhms | |
– 20 V, + 20 V | |
4 V | |
7 nC | |
– 55 C | |
+ 150 C | |
125 W | |
Enhancement | |
Tube | |
Brand: | Vishay Semiconductors |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 36 ns |
Height: | 15.49 mm |
Length: | 10.41 mm |
Product Type: | MOSFETs |
Rise Time: | 45 ns |
Series: | IRF |
1000 | |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
Width: | 4.7 mm |
Part # Aliases: | IRF640PBF-BE3 |
Unit Weight: | 0.068784 oz |