توضیحات
ترانزیستور IRF740PBF (پکیج TO-220)
ترانزیستور IRF740PBF یک ترانزیستور MOSFET نفلین-کانال (N-channel) است که به ویژه برای کاربردهای سوئیچینگ و تقویت قدرت طراحی شده است. با استفاده از این ترانزیستور، میتوانید کنترل دقیق و کارآمدی بر روی جریانهای بالا و ولتاژهای زیاد در مدارهای الکترونیکی داشته باشید.
ویژگیهای کلیدی:
- ولتاژ در حالت قطع (V_DS): ترانزیستور IRF740PBF قادر است ولتاژهایی تا 400 ولت را تحمل کند. این ویژگی به آن امکان میدهد تا در مدارهایی که نیاز به ولتاژهای بالا دارند، به خوبی عمل کند و به محافظت از سایر اجزای مدار در برابر ولتاژهای ناخواسته کمک کند.
- جریان کانال (I_D): این ترانزیستور قادر است جریانهای تا 10 آمپر را از خود عبور دهد. این ویژگی به آن اجازه میدهد که در کاربردهایی که به جریانهای بالا نیاز دارند، از جمله منابع تغذیه و کنترل موتورها، مورد استفاده قرار گیرد.
- پکیج TO-220: ترانزیستور IRF740PBF در پکیج TO-220 عرضه میشود که برای نصب روی هیتسینک و دفع حرارت مناسب است. این پکیج به راحتی بر روی بردهای مدار چاپی (PCB) نصب میشود و برای کاربردهای صنعتی و الکترونیکی به خوبی عمل میکند.
- ویژگیهای سوئیچینگ و تقویت: IRF740PBF به دلیل ویژگیهای سوئیچینگ سریع و توانایی تقویت سیگنالهای الکتریکی، در مدارهای سوئیچینگ و تقویتکنندههای قدرت استفاده میشود. این ویژگیها باعث افزایش کارایی و دقت در عملکرد مدار میشوند.
- بازیابی حرارتی و پایدار: با استفاده از پکیج TO-220، این ترانزیستور به خوبی قادر است حرارت تولید شده را دفع کند و در شرایط عملیاتی پایدار عمل کند. این امر به افزایش عمر مفید و عملکرد قابل اعتماد دستگاه کمک میکند.
کاربردها:
- مدارهای سوئیچینگ: IRF740PBF به طور گسترده در مدارهای سوئیچینگ، از جمله منابع تغذیه سوئیچینگ و مبدلهای DC-DC استفاده میشود.
- کنترل موتورها: این ترانزیستور در کنترل موتورهای DC و AC نیز کاربرد دارد، زیرا میتواند جریانهای بالا را کنترل کند.
- تقویتکنندههای قدرت: به دلیل تواناییهای تقویتکننده خود، از این ترانزیستور در تقویتکنندههای قدرت و مدارهای RF استفاده میشود.
- مدارهای صنعتی: این ترانزیستور در انواع مختلفی از مدارهای صنعتی که نیاز به کنترل دقیق قدرت دارند، به کار میرود.
راهنمای نصب و استفاده:
- نصب: ترانزیستور IRF740PBF در پکیج TO-220 به راحتی بر روی بردهای مدار چاپی (PCB) نصب میشود. اطمینان حاصل کنید که پینهای ترانزیستور به درستی به مدار متصل شدهاند و از لحیمکاری صحیح استفاده کنید.
- خنککاری: برای جلوگیری از گرمای زیاد و افزایش عمر مفید ترانزیستور، استفاده از هیتسینک مناسب توصیه میشود. نصب هیتسینک به کاهش دمای کاری و بهبود عملکرد ترانزیستور کمک میکند.
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 400 V
Id – Continuous Drain Current: 10 A
Rds On – Drain-Source Resistance: 550 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Fall Time: 24 ns
Height: 9.01 mm
Length: 10.41 mm
Minimum Operating Temperature: – 55 C
Pd – Power Dissipation: 125 W
Rise Time: 27 ns
Factory Pack Quantity: 1000
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns