ترانزیستور IRF740PBF پکیج TO-220 (اورجینال)

ترانزیستور IRF740PBF اورجینال در پکیج TO-220 با ولتاژ 400 ولت و جریان 55 آمپر، یک انتخاب ایده‌آل برای استفاده در مدارهای قدرت، منابع تغذیه سوئیچینگ و کاربردهای صنعتی است.

ترانزیستور IRF740PBF پکیج TO-220 (اورجینال)

ترانزیستور IRF740PBF پکیج TO-220 (اورجینال) – ترانزیستور MOSFET N-Channel 400V 55A

ترانزیستور IRF740PBF یک MOSFET N-Channel با قابلیت تحمل 400 ولت ولتاژ و جریان 55 آمپر است که در پکیج TO-220 عرضه می‌شود. این ترانزیستور برای کاربردهای قدرتی با نیاز به سوئیچینگ سریع و کارایی بالا طراحی شده است. با مقاومت درین-سورس پایین و توانایی تحمل ولتاژ و جریان بالا، انتخابی مناسب برای پروژه‌های صنعتی و سیستم‌های سوئیچینگ است.

ویژگی‌ها و مزایا

✅ اورجینال با کیفیت تضمینی
✅ تحمل جریان مداوم تا 55 آمپر
✅ حداکثر ولتاژ درین-سورس 400 ولت
✅ مقاومت درین-سورس پایین برای کارایی بیشتر
✅ پکیج TO-220 برای بهبود انتقال حرارت
✅ مناسب برای کاربردهای قدرت و سوئیچینگ
✅ سوئیچینگ سریع و توانایی کنترل جریان بالا

مشخصات فنی

• مدل: IRF740PBF

• پکیج: TO-220

• نوع ترانزیستور: N-Channel MOSFET

• حداکثر جریان مستقیم (ID): 55 آمپر

• حداکثر ولتاژ درین-سورس (VDS): 400 ولت

• مقاومت درین-سورس در حالت روشن (RDS(on)): 0.55 اهم

• توان اتلاف (Ptot): 100 وات

• دمای کاری: -55°C تا +150°C

کاربردها

🔹 منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
🔹 درایورهای موتورهای DC
🔹 اینورترها و UPS
🔹 سیستم‌های صوتی و تقویت‌کننده‌ها
🔹 تجهیزات صنعتی و مدارهای قدرت
🔹 سیستم‌های توان بالا و سوئیچینگ سریع

نکات مهم در استفاده

🔸 برای استفاده بهینه، از هیت‌سینک مناسب برای خنک‌سازی ترانزیستور استفاده کنید.
🔸 در طراحی مدارهای قدرت، مراقب اتصالات و سیم‌کشی مناسب برای انتقال جریان بالا باشید.
🔸 توجه داشته باشید که ولتاژ گیت باید به درستی اعمال شود تا ترانزیستور به صورت کامل سوئیچ شود.

Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 400 V
Id – Continuous Drain Current: 10 A
Rds On – Drain-Source Resistance: 550 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Fall Time: 24 ns
Height: 9.01 mm
Length: 10.41 mm
Minimum Operating Temperature: – 55 C
Pd – Power Dissipation: 125 W
Rise Time: 27 ns
Factory Pack Quantity: 1000
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns