ترانزیستور IRF530NPBF پکیج TO-220

ترانزیستور MOSFET مدل IRF530NPBF از نوع N-Channel با توان بالا، پکیج TO-220 و جریان عبوری 17 آمپر، مناسب برای کاربردهای صنعتی، سوئیچینگ، منابع تغذیه و درایور موتور با عملکرد پایدار و تلفات پایین.

ترانزیستور IRF530NPBF از خانواده ماسفت‌های (MOSFET) N-Channel با توان بالا و طراحی صنعتی است که در پکیج محبوب TO-220 ارائه می‌شود. این ماسفت با تحمل ولتاژ درین تا 100 ولت و حداکثر جریان 17 آمپر، گزینه‌ای عالی برای انواع پروژه‌های الکترونیکی با توان متوسط تا بالا به شمار می‌رود.

یکی از مهم‌ترین ویژگی‌های IRF530NPBF مقاومت داخلی پایین (RDS(on)) در حالت روشن است که باعث کاهش تلفات توان و بهبود راندمان در مدارهای سوئیچینگ (Switching) می‌شود. این ویژگی باعث می‌شود تا این قطعه در انواع کاربردها نظیر منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، درایورهای موتور DC، اینورترها، مدارات PWM، تقویت‌کننده‌ها و سیستم‌های توان بالا استفاده شود.

پکیج TO-220 نه تنها قابلیت دفع حرارت مناسبی دارد بلکه باعث نصب آسان روی هیت‌سینک یا بردهای سوراخ‌دار می‌شود و آن را برای کاربردهای صنعتی و حرفه‌ای بسیار مناسب می‌کند. همچنین، این مدل از نوع سرب فری (Pb-Free) بوده و با RoHS سازگار است، بنابراین برای تولید محصولات صادراتی نیز گزینه مناسبی است.

⚙️ مشخصات فنی IRF530NPBF:

• نوع: MOSFET N-Channel

• ولتاژ درین – سورس (Vds): 100V

• جریان درین (Id): 17A

• مقاومت روشن RDS(on): حدود 0.160 اهم (در Vgs=10V)

• توان اتلافی (Pd): 45 وات

• ولتاژ گیت – سورس (Vgs): ±20V

• پکیج: TO-220

• استاندارد محیط زیست: RoHS Compliant (بدون سرب)

✅ ویژگی‌ها و مزایا:

• کیفیت اورجینال با عملکرد مطمئن

• مناسب برای مدارهای قدرت و صنعتی

• قابلیت کار در دماهای بالا (تا 175 درجه سانتی‌گراد)

• پشتیبانی از فرکانس‌های بالا در مدارات سوئیچینگ

• نصب آسان روی هیت‌سینک به دلیل طراحی TO-220

• Product Attribute	Attribute Value	Select Attribute
  Manufacturer:	Infineon
  Product Category:	MOSFETs
  RoHS:	Details
  Technology:	Si
  Mounting Style:	Through Hole
  Package / Case:	TO-220-3
  Transistor Polarity:	N-Channel
  Number of Channels:	1 Channel
  Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
  Id – Continuous Drain Current:	17 A
  Rds On – Drain-Source Resistance:	90 mOhms
  Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
  Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
  Qg – Gate Charge:	24.7 nC
  Minimum Operating Temperature:	– 55 C
  Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
  Pd – Power Dissipation:	79 W
  Channel Mode:	Enhancement
  Packaging:	Tube
  Brand:	Infineon Technologies
  Configuration:	Single
  Height:	15.65 mm
  Length:	10 mm
  Product Type:	MOSFETs
  Factory Pack Quantity:	1000
  Subcategory:	Transistors
  Transistor Type:	1 N-Channel
  Width:	4.4 mm
  Unit Weight:	0.068784 oz