2SK2129/SMD

1171

جدید

8,181 تومان

- +

 
بررسی تخصصی

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

Type Designator: 2SK2129

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 50 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 800 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Drain Current |Id|: 3 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Rise Time (tr): 60 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 90 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 4 Ohm

 

30 محصول مشابه یافت شد

خریداران این محصول، این کالاها را نیز خریده اند:

منو