IRF510

فقط آنلاین

5757

جدید

موجود شد خبرم کن
 
بررسی تخصصی

Type Designator: IRF510

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 20 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 5.6 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Total Gate Charge (Qg): 8.3 nC

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.54 Ohm

Package: TO220AB

30 محصول مشابه یافت شد

خریداران این محصول، این کالاها را نیز خریده اند:

منو