توضیحات
ترانزیستور IRF840PBF (پکیج TO-220) اورجینال
توضیحات کلی: ترانزیستور IRF840PBF یک ماسفت قدرت N-channel است که برای کنترل و سوئیچینگ در مدارهای ولتاژ بالا و توان متوسط تا بالا طراحی شده است. این ترانزیستور با قابلیت تحمل ولتاژهای تا 500 ولت و جریان دهی تا 8 آمپر، یکی از گزینه‌های محبوب در طراحی مدارهای منابع تغذیه سوئیچینگ، اینورترها، مبدل‌های DC-DC و مدارهای کنترل موتور است. پکیج TO-220 این ترانزیستور نصب آن را آسان کرده و امکان استفاده از هیت سینک را برای دفع حرارت بهتر فراهم می‌کند.
ویژگی‌ها:
- نوع ماسفت: N-channel
- ولتاژ درین-سورس (Vds): 500 ولت
- جریان پیوسته (Id): 8 آمپر (در 25 درجه سانتی‌گراد)
- مقاومت روشن (Rds(on)): 0.85 اهم (typical)
- پکیج: TO-220 برای نصب آسان و امکان استفاده از هیت سینک
- حداکثر توان: 125 وات
- ولتاژ گیت-سورس (Vgs): ±20 ولت
- دمای کاری: -55°C تا +150°C
مزایا:
- تحمل ولتاژ بالا: مناسب برای کاربردهایی که نیاز به تحمل ولتاژهای بالای 500 ولت دارند.
- پکیج TO-220: نصب آسان، قابلیت استفاده از هیت سینک برای دفع حرارت و بهبود پایداری عملکرد.
- کارایی بالا در مدارهای سوئیچینگ: مقاومت روشن پایین و کارایی بالا در سوئیچینگ، این ماسفت را برای منابع تغذیه سوئیچینگ و اینورترها مناسب می‌کند.
- پایداری حرارتی: عملکرد مطمئن در دماهای بالا و محیط‌های صنعتی.
کاربردها:
- منابع تغذیه سوئیچینگ: استفاده در مدارهای منابع تغذیه سوئیچینگ با ولتاژ بالا و توان متوسط.
- اینورترها: به کارگیری در مدارهای اینورتر برای تبدیل جریان مستقیم به متناوب.
- مبدل‌های DC-DC: استفاده در مبدل‌های DC-DC که نیاز به سوئیچینگ با ولتاژ بالا دارند.
- کنترل موتورهای DC: مناسب برای کنترل موتورهای جریان مستقیم با ولتاژهای بالا.
نصب و نگهداری:
- نصب: ترانزیستور IRF840PBF در پکیج TO-220 عرضه می‌شود و به راحتی می‌تواند روی بردهای مدار چاپی (PCB) نصب شود. برای بهبود دفع حرارت و افزایش عمر ماسفت، استفاده از هیت سینک توصیه می‌شود.
- نگهداری: برای حفظ عملکرد بهینه، رعایت محدوده ولتاژ و جریان مجاز الزامی است. همچنین، از اعمال ولتاژ بیش از حد به گیت ماسفت باید جلوگیری شود.
توصیه‌ها: ترانزیستور IRF840PBF به دلیل ویژگی‌های ولتاژ بالا، پایداری حرارتی و پکیج TO-220، برای استفاده در مدارهای سوئیچینگ، اینورترها و منابع تغذیه بسیار توصیه می‌شود.
Type Designator: IRF840PBF
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Pdⓘ – Maximum Power Dissipation: 125 W
|Vds|ⓘ – Maximum Drain-Source Voltage: 500 V
|Vgs|ⓘ – Maximum Gate-Source Voltage: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ – Maximum Gate-Threshold Voltage: 4 V
|Id|ⓘ – Maximum Drain Current: 8 A
Tjⓘ – Maximum Junction Temperature: 150 °C
Qgⓘ – Total Gate Charge: 63 nC
trⓘ – Rise Time: 23 nS
Cossⓘ – Output Capacitance: 310 pF
Rdsⓘ – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.85 Ohm
